作业帮谁来帮我做这几道电工电子题?第1题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为：A、SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB、SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC、GTO、SC
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/27 14:59:59
谁来帮我做这几道电工电子题?第1题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为：A、SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB、SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC、GTO、SC
谁来帮我做这几道电工电子题?
第1题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为：
A、SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B、SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C、GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D、SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
第2题 单相半控桥,带电感性负载,晶闸管的导通角为
A、90°
B、180°
C、120°
D、150°
第3题 三相全控桥式整流电路中,共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差
A、60°
B、90°
C、120°
D、150°
第4题
A、60°
B、120°
C、180°
D、>60°
第5题 三相全控桥式整流器的换流方式( )
A、器件换流
B、负载换流
C、电网换流
D、强迫换流
第6题 对于可控整流电路,其换流重叠角大小的影响因素,主要包括：( )
A、变压器等效漏感LB
B、直流侧电流Id
C、A、B两个方面都有影响
第7题 通常电压型PWM逆变器是通过改变( )来改变输出基波电压有效值大小的.
A、直流侧电压Ud
B、调制比
C、载频三角波频率
D、正弦调制波频率
第8题 单相全控桥、单相半控桥、三相半波可控整流和三相全控桥整流这四种整流电路中,能实现有源逆变的电路是( )
A、单相全控桥、三相全控桥
B、单相全控桥、单相半控桥和三相全控桥
C、单相全控桥、三相全控桥和三相半波可控整流
D、全部4种
第9题
A、实测值比计算值大
B、实测值比计算值小
C、两值一样大
D、无法确定
第10题 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为：( )
A、单极型器件
B、双极型器件
C、复合型器件
第11题 全控器件在开关频率较高时,使器件损耗增加的主要因素是：( )
A、通态损耗
B、断态损耗
C、开关损耗
第12题 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态,逆变角的变化范围为
A、0°～120°
B、0°～90°
C、90°～180°
D、0°～150°
第13题 驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口
A、缓冲电路
B、保护电路
C、控制电路
D、滤波电路
第14题 实现有源逆变时Ud和Ed的关系是
A、|U d ||E d |
C、|U d |=|E d |
D、|U d |=|E d |=0
第15题 在大电感负载三相全控桥中,当α=90°时,整流电路的输出是
A、U
B、0
C、1.414
D、1.732
第16题 三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差
A、60
B、90
C、120
D、180
第17题 晶闸管的三个引出电极分别是
A、阳极、阴极、门极
B、阳极、阴极、栅极
C、栅极、漏极、源极
D、发射极、基极、集电极
第18题 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是
A、有源逆变器
B、A/D变换器
C、D/A变换器
D、无源逆变器
第19题 下列那种器件属于全控器件
A、IGBT
B、SR
C、SCR
D、双向晶闸管
第20题 三相半波可控整流电路的自然换相点是
A、交流相电压的过零
B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前 30°
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后 60°
谁来帮我做这几道电工电子题?第1题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为：A、SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB、SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC、GTO、SC
1、D 2、A 3、C 4、_ 5、A 6、C 7、B 8、A 9、_ 10、 B 11、C 12、 C 13、C 14、 A 15、B 16、 A 17、A 18、A 19、A 20、 B
4与9题没有题目,画的杠